因為半導體原來就是這樣子的結構啊
厚厚的矽基版，在上面參雜質做出電晶體。晶體做完後，蓋上二氧化矽，放上鋁或銅當導線，再蓋上一層，再放導線，再蓋，再放...
像是K7中期總共蓋了九層金屬。

而且，在先進製程中，金屬的比例還要維持一定，例如30%以上，還好感光元件，尤其DSLR的，並不需要高密度電晶體，因此製程大概在10年前(chipworks說canon是0.5um製程)吧，在感光元件上方局部清空並不會明顯影響良率（沒現在明顯）。

用一些非傳統的方法製作，應該有可能不受到傳統半導體限制，不過成本是一定會出現的問題...