剛才無意中看到的

為什麼DSLR不採用背照式CMOS?
http://okwave.jp/qa/q6539365.html

1.大型背照式CMOS的背面研磨在要求的平面精度上有極端困難。

2.雖然背照式CMOS給人雜訊少的印象，
但實際上只是對高感度雜訊較佳，對其他種類的雜訊不利。
因此，背面照射型CMOS在高感度時雜訊少，
但低感度時反而表面照射型CMOS較佳。
一般而言，小型感光元件ISO400∼800前後是反轉區
ISO400以下是表面照射型，ISO800以上是背面照射型有利。

而在像素間距很大，開口率高的大型元件時，
反轉區估算是ISO3200∼6400前後。
也就是背面照射型CMOS在ISO3200以下一般感度範圍大體上整體畫質可能下降。
只有在ISO6400以上的超高感度時雜訊改善的可能性提高。
如果作為一般的需求考慮，除了特殊的需求外，
目前大型CMOS採用背面照射的可能性不高。