SONY 發表研發比現產品感度2倍的數位相機用「背面照射型CMOS感光元件」
http://www.sony.co.jp/SonyInfo/News/Press/200806/08-069/
http://dc.watch.impress.co.jp/cda/other/2008/06/11/8652.html


SONY 發表研發比現產品感度2倍的數位相機用，
「背面照射型CMOS感光元件」（畫素尺寸對角1.75um、有効畫素500萬畫素、60張/秒）。
利用感光元件內基板面受光，達成高感度及低雜訊。將作為下一世代ＤＣ，ＤＶ用的新型CMOS感光元件。

與以往感光元件不同之處是以本來在感光元件內最底部的基板面來做為受光面。

與同畫素尺寸（1.75um）的SONY表面照射型比較、實現了＋8dB（感度＋6dB、雜訊－2dB）的高SN比。

以往的表面照射型CMOS感光元件，由於由於基板表面受光面的線路及電晶體等阻礙了入射光，使得畫素的小型化及光入射角等成為課題。

此次研發出的「背面照射型CMOS感光元件」，由於是基板直接受光，沒有光路阻礙，所以也沒有入射光的光量損失且入射光角導致的感度低下也減少。

且「背面照射型CMOS感光元件」由於線路不會影響入射光，
線路配置的自由度提高，配線層的多層化及更自由的電晶體構成成為可能，
可期待更高速化及高動態範圍。

SONY 今後將在DC,DV產品上積極採用應用此技術的CMOS感光元件。






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<參考>2年多前的研究發表:
Re: SONY 在美國 ISSCC發表 640萬畫素 秒60張超高速1/1.8型新世代CMOS感光元件
http://photofan.jp/camera/html/modules/newbb/viewtopic.php?topic_id=1491&forum=35
[9050] 關於「背面照射CMOS」

有預感，
此「背面照射型CMOS感光元件」將會是個革命性感光元件

有預感

小朋友會愈來愈少

畫素與鏡頭的解析極限快到了......

背面型感光的設計之後
下一步 Sony 在單層上面的改變應該才是更動馬賽克的排列方式 (類似Super CCD，加入明暗度資訊)

然後再下一步才有可能拋棄單層，往複數層設計進行

單層結構感光元件型的機種愈賣，那類似 Foveon 多層結構的設計要成為主流的日子到來的那一天就愈慢…

看起來 真是不錯！！

那這樣寬容度會超過底片嗎?

根據日本網上討論，這種以基板背面照射的構想，
Nikon等公司也有類似構造的專利，

但能夠應用到生產的目前只有
SONY與OmniVision Technologies, Inc.2家公司。

他應該是強調比現產品感度2倍,不知是否指ISO,

引文:

引文:

其實現在DSLR的寬容度就已經與負片不相上下了
只是有些影像訊息
是藏在RAW檔的明暗兩端裡面.

現行一般DSLR都大約在9EV左右
亮部4EV
暗部5EV左右
所以暗部可以紀錄比較多的訊息.
有後製需求的話. 稍微under拍攝會比較理想

引文:

再看了些討論，CCD也可以做同樣的構造，
且在非常早時期就已開始研發應用，特別是在天文攝影關連的應用方面。

不過此型元件的問題點是元件需要磨削成薄形。
磨削過程容易產生壞點，導致良率減低。
另外背面照射型感光元件會產生特有的凸緣圖案(Flange pattern)??，
會影響測光精度，且要修正很難。

不過這些是關於天文用背面照射型CCD的問題點，
SONY的背面照射型CMOS不知是有沒有問題

引文:

基本上所有在做 sensor 的廠商,
都有在往這方面走..
應該可以說是一個共識哩...

引文:
感度2倍,ISO 2倍
此種新研發的的CMOS感光元件，相對於過去的感光元件，將可以達成高感度以及低雜訊的優勢。
低雜訊有利於更寬的動態範圍，能捕捉同一場景中很暗與很亮區域的影像。負片動態範圍約在10 EV ，12 bits raw DSLR 約 8 EV ,14 bits raw DSLR 約 9 EV ,正片動態範圍約在12 EV 。
過去的感光元件感光光電二極體凹入畫素的底部。因此，僅經由鏡頭垂直進入的光線，可有效的感光。因為CCD的四邊的光線以傾斜角度的射入，顏色的再現性將會不準確與亮度將會不足。尤其使用廣角鏡頭大光圈及全片幅感光元件時，此問題將會更加嚴重。
隨著產品畫質要求的提高，新型影像器解決方案原理與生產技術必需進步。

引文:

Sony develops back-illuminated CMOS image sensor, realizing high picture quality, nearly twofold sensitivity(*1) and low noise
Signal-to-noise ratio improvement of +8dB, for use in consumer digital video camcorders and digital still cameras

新力CMOS感測器量產的重頭戲，公開具體特性指標

....
具體地，背面照射技術的試製品在鏡頭光圈為F2.0時，信號強度（S與N合計）比表面照射產品高6dB。而噪音（N）中的暗時隨機噪音小2dB。因此，靈敏度（S/N）提高了8dB。

新力還公佈了信號強度隨鏡頭光圈而變化的幅度。光圈擴大（縮小F值）時，斜射入攝影器件的光的比例增加。這部分斜射光本應提高信號強度，但以往的表面照射產品卻難以做到。因為斜射光無法抵達位於CMOS感測器深處的光電轉換元件（光電二極體）。

此次的背面照射產品克服了以上問題。如上所述，當光圈為F2.0時，信號強度比同樣畫素間隔的表面照射產品高6dB。當光圈為畫質評價經常使用的F5.6時，信號強度高4.5dB
....


日經技術在線
http://big5.nikkeibp.co.jp/china/news/elec/elec200806130127.html

這個跟以前olympus用的
kodak full frame transfer ccd
感覺還蠻像的

除了前面有提到的電晶體良率以外...
大片，磨薄會很容易破喔，不知道會不會摔到就掛，
也許背面(以前的正面)可以長很厚的oxide來加強(這也是要加點錢的)

剛才無意中看到的

為什麼DSLR不採用背照式CMOS?
http://okwave.jp/qa/q6539365.html

1.大型背照式CMOS的背面研磨在要求的平面精度上有極端困難。

2.雖然背照式CMOS給人雜訊少的印象，
但實際上只是對高感度雜訊較佳，對其他種類的雜訊不利。
因此，背面照射型CMOS在高感度時雜訊少，
但低感度時反而表面照射型CMOS較佳。
一般而言，小型感光元件ISO400∼800前後是反轉區
ISO400以下是表面照射型，ISO800以上是背面照射型有利。

而在像素間距很大，開口率高的大型元件時，
反轉區估算是ISO3200∼6400前後。
也就是背面照射型CMOS在ISO3200以下一般感度範圍大體上整體畫質可能下降。
只有在ISO6400以上的超高感度時雜訊改善的可能性提高。
如果作為一般的需求考慮，除了特殊的需求外，
目前大型CMOS採用背面照射的可能性不高。

小弟之前在mobile01看到长焦旅行DC的横向评测，
采用“背照式”sensor的sony在高感不如采用新一代表面照射式smartFSI的P社ZS20，可惜评测文章链接没找到。

所以，BSI也不见得无懈可击，FSI也有潜力可挖，
只是现在消费者只认可BSI，一听到“背照式CMOS”就以为万事大吉，