SONY 發表研發比現產品感度2倍的數位相機用「背面照射型CMOS感光元件」
http://www.sony.co.jp/SonyInfo/News/Press/200806/08-069/
http://dc.watch.impress.co.jp/cda/other/2008/06/11/8652.html


SONY 發表研發比現產品感度2倍的數位相機用，
「背面照射型CMOS感光元件」（畫素尺寸對角1.75um、有効畫素500萬畫素、60張/秒）。
利用感光元件內基板面受光，達成高感度及低雜訊。將作為下一世代ＤＣ，ＤＶ用的新型CMOS感光元件。

與以往感光元件不同之處是以本來在感光元件內最底部的基板面來做為受光面。

與同畫素尺寸（1.75um）的SONY表面照射型比較、實現了＋8dB（感度＋6dB、雜訊－2dB）的高SN比。

以往的表面照射型CMOS感光元件，由於由於基板表面受光面的線路及電晶體等阻礙了入射光，使得畫素的小型化及光入射角等成為課題。

此次研發出的「背面照射型CMOS感光元件」，由於是基板直接受光，沒有光路阻礙，所以也沒有入射光的光量損失且入射光角導致的感度低下也減少。

且「背面照射型CMOS感光元件」由於線路不會影響入射光，
線路配置的自由度提高，配線層的多層化及更自由的電晶體構成成為可能，
可期待更高速化及高動態範圍。

SONY 今後將在DC,DV產品上積極採用應用此技術的CMOS感光元件。






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<參考>2年多前的研究發表:
Re: SONY 在美國 ISSCC發表 640萬畫素 秒60張超高速1/1.8型新世代CMOS感光元件
http://photofan.jp/camera/html/modules/newbb/viewtopic.php?topic_id=1491&forum=35
[9050] 關於「背面照射CMOS」