2006/02/24, 日本経済新聞　朝刊, 15頁
報導
富士寫真研發以特殊的有機材料使感度可提高3倍，
攝影的照片可有如傳統底片同樣的立體感表現的新型感光元件。
3─4年後製品化為目標研發中。

研發的感光元件為紅藍綠 3層的感光元件，
富士寫真已申請此基本技術的專利。

富士寫真表示傳統底片使用多層的感光材料，
由於紅藍綠顏色微妙的重疊，
使拍出的作品的立體感表現優於目前的數位相機。
此3層的感光元件將可使傳統底片的優點表現於數位相機上。

參考
Canon自己在研發類似Foveon x3的受光元件??
http://photofan.jp/camera/html/modules/n................37#forumpost5337
[5337]

Foveon X3 Direct Image Sensor
http://www.sigma-photo.co.jp/english/camera/digital/foveon.htm

由感光元件(底片+數位)的廠商親口說出,證實銀鹽底片目前仍有其優勢與價值
小弟常同時帶數位和底片機一起出擊,總覺得正片比較能還原現場的光之氣氛,也許這就是原因了...
Fujifilm,加油

這真是太令人期待了

希望到時候Fujifilm會有大尺寸高畫質隨身DC,
來一台真正的NATURA Black Digital吧

其實現在就有現成的---SIGMA SD9,SD10

3-4年會不會太長時間？

當然，我很歡迎這個開發！

彼岸資訊
http://forum.xitek.com/showthread.php?threadid=350639

查了日本一些網上討論，
追加一些資訊，
http://techon.nikkeibp.co.jp/article/HONSHI/20060124/112624/
目前已黑白的攝影成功了。
並於2006年1月18日在美國「IS&T/SPIE’s Electronic Imaging Science and Technology」學會上發表。也是富士首次將具體研發內容對外公開。


http://www.nhk.or.jp/strl/open2005/tenji/t03.html
是富士與日本國立埼玉大學共同研究。

網上的傳聞，實際上研發的主力可能是埼玉大學的某研究室，
富士雖也參與，但可能是提供研發經費及產品化。

可能是這個技術的美國專利
Photosensitive colored composition for color filter
看不太懂，也沒時間研究

這個有機傳感器件技術最早是由NHK 發起、埼玉大學參與共同研發，期間樣品器件的加工可能有在FUJIFILM 半導體工廠進行。從各種信息看：FUJIFILM是在後期購買了此研究技術，幷進一步轉向生産研究。

下面是2005年3月31日的日經BP社 關于有機CMOS 的報道，2005/03/31的這個報道完全與FuJiFILM 無關。看來早先領頭的就是 NHK 研究所及埼玉大學：

NHK廣播電視技術研究所（以下簡稱NHK技研）日前試製出感光層使用有機半導體材料的CMOS攝影元件。其最終目的是開發超小型HDTV規格數碼攝像機，這次試製就是邁向這一目標的其中一步。在2005年3月29日∼4月1日于日本埼玉大學舉行的“日本第52届應用物理學會綜合演講會”上發表了試製結果。

　　該研究所之所以在感光層中使用有機半導體材料，主要是注意到這種材料具有很高的波長選擇性。比如，有機半導體中有一種在吸收某些特定顔色波長後將其轉換成電信號的同時，使其他顔色波長透過去的材料。利用這種性質，通過“竪向”配置紅（R）、綠（G）、藍（B）3種像素，與橫向配置的普通方式相比，在相同分辨率下可大幅縮小攝影元件的面積。該公司過去就已經開發成功了采用與RGB 3色各自對應的有機半導體材料的攝像管。

　　此次則首次使用有機半導體材料試製成功了1.34mm見方、分辨率爲128×128像素的CMOS攝影元件。所使用的有機材料是吸收紅色光的“ZnPc”，爲純紅色。據悉已經證實具有極高的波長選擇性。“攝影元件對紅色光反應强烈，而對藍色光則反應很弱”（NHK技研）。

影像展示要等到5月舉行的NHK技研展示會

　　不過，NHK技研幷沒有公開利用這次開發的CMOS攝影元件拍攝的影像。原因是因爲“在外部訂制的CMOS傳感器鋁電極受到氧化後，沒有達到預期的性能”（NHK技研）。“希望在2005年5月26日∼29日舉行的技研展示會之前解决問題”（NHK技研）。（記者：野澤 哲生）

附注：上面的2005年3月31日的日經BP社的報道中稱傳感器爲“攝影元件”，估計是非漢語電子專業的人士翻譯。正確的稱呼是“有機半導體材料的CMOS攝影器件”，這是半導體“電子器件”，而非“電子元件”，器件與元件是兩類不同的電子零部件。

引文:

今天在日本某經濟週看到了之前未注意到的介紹說明，
http://dw.diamond.ne.jp/index.shtml

根據此雜誌說明
富士寫真這個有機材料的3層的感光元件，
另一特點是感度可提高3倍，
即有可能達到 ISO 10000。
目前為止一般的民生數位感光元件或傳統底片還沒達到ISO 10000的。
這樣的感度，即使是夜間，也不怕手振了。

數位市場、瞬息萬變！

感謝站長第一手資訊。

引文:

感度提高3倍，是RGB每層接收資訊做雜訊處理嗎？還是材料特性的能力所致？

letsgodigital
介紹關於富士研發的RGB 3層CMOS感光元件
http://www.letsgodigital.org/en/news/articles/story_7341.html

nikkeibp.com
Fuji Film's Success with Organic Imaging Sensor
http://neasia.nikkeibp.com/neasia/003820

日本FUJIFILM 各領域的研發成果報告書
http://www.fujifilm.co.jp/corporate/tech/rd/index.html

其中2007年
http://www.fujifilm.co.jp/corporate/tech/rd/rd052/index.html

關於RGB 3層CMOS感光元件的研發報告書:
有機光電変換膜を積層したCMOSイメージセンサー
http://www.fujifilm.co.jp/corporate/aboutus/pdf/tech/ff_rd052_001.pdf

引文:

那即是今年的報告裡沒有關於3層CMOS的資料吧，有點可惜。

日本網上的消息，
http://zuiko.exblog.jp/10215996/#10215996_1

最近日本專利局公開的一個新專利

【公開番号】 特許公開２００８－２８８４０４
【公開日】 平成２０年１１月２７日（２００８．１１．２７）
【発明の名称】 光電変換膜積層型固体撮像素子

專利內容大概如下:
以往構想的3層CMOS感光元件構造如下圖
http://www.fujifilm.co.jp/corporate/aboutus/pdf/tech/ff_rd052_001.pdf


黑色部分是連接上方層的線路，
由於這些線路的影響，導致越下方層的受光面積越小，使下層受光量減損。

此新專利是提出讓3層受光面均可有同樣受光面積的解決方法。



---------------------------------------------------------

在日本專利局檢索「光電変換膜積層型固体撮像素子」一詞相關專利，
主要都是由FUJIFILM 申請的關於有機3層CMOS的專利。

但這個最新的專利，申請者並不是FUJIFILM ，
而竟然是Olympus

而更有趣的是，
Olympus這個專利是一個針對某個3層CMOS感光元件專利的改良專利，
而那個原來的3層CMOS感光元件專利是FUJIFILM 擁有的:
【特許文献１】特開２００５－３５３６２６号公報
【特許文献２】特開２００６－４９８７３号公報

也就是上面引用的那張圖
http://www.fujifilm.co.jp/corporate/aboutus/pdf/tech/ff_rd052_001.pdf
的有機光電変換膜3層CMOS感光元件。

令人聯想到是不是Olympus 與 FUJIFILM私下有一腿

２００６年初時FUJIFILM曾表示有機光電変換膜3層CMOS感光元件，
以3─4年後製品化為目標研發中。
假如順利就是明年或後年就能製品化

而Olympus這個專利是在２００７．５．１８提出申請的。
表示Olympus可能參與(或曾經參與)了3層CMOS感光元件的研發

雖不知是否與4/3系統有關，
但由liveMOS也是與松下共同研發的前例看來。
不禁令人有無限的幻想

在日本專利局資料庫
http://www2.ipdl.inpit.go.jp/begin/be_search.cgi?STYLE=login&sTime=1227926619892
以「光電変換膜積層型固体撮像素子」搜尋，
得到以下的26件專利
除最新的1. 特許公開2008－288404是由Olympus提出外，
其他25件都是FUJIFILM的專利

1. 特許公開2008－288404 光電変換膜積層型固体撮像素子
2. 特許公開2007－329554 光電変換膜積層型固体撮像素子
3. 特許公開2007－329161 光電変換膜積層型固体撮像素子
4. 特許公開2007－059487 光電変換膜積層型固体撮像素子
5. 特許公開2007－059468 光電変換膜積層型固体撮像素子
6. 特許公開2006－245285 光電変換膜積層型固体撮像素子
7. 特許公開2006－245284 光電変換膜積層型固体撮像素子及びその製造方法
8. 特許公開2006－245045 光電変換膜積層型固体撮像素子とその製造方法
9. 特許公開2006－237136 光電変換膜積層型固体撮像素子
10. 特許公開2006－229022 光電変換膜積層型固体撮像素子
11. 特許公開2006－228939 光電変換膜積層型固体撮像素子
12. 特許公開2006－228938 光電変換膜積層型固体撮像素子
13. 特許公開2006－094263 撮像装置
14. 特許公開2006－093521 光電変換膜積層型固体撮像素子
15. 特許公開2006－054448 機能素子及びその製造方法
16. 特許公開2006－049875 機能素子の製造方法
17. 特許公開2006－049874 機能素子及びその製造方法
18. 特許公開2006－049873 機能素子
19. 特許公開2005－353626 光電変換膜積層型固体撮像素子及びその製造方法
20. 特許公開2005－303284 光電変換膜積層型固体撮像素子
21. 特許公開2005－303273 光電変換膜積層型固体撮像素子
22. 特許公開2005－303263 光電変換膜積層型固体撮像素子の製造方法
23. 特許公開2005－286700 撮像装置
24. 特許公開2005－268471 光電変換膜積層型固体撮像素子
25. 特許公開2005－268384 光電変換膜積層型固体撮像素子
26. 特許公開2005－268376 光電変換膜積層型固体撮像素子

在olddo大的論壇裡看到網友秦嶺深處洩漏的消息(?)
http://www.olddo.com/bbs/viewthread.php?tid=7769&extra=page%3D1&page=2(須登入)

裡面提到E-3後繼機的感光元件將有重大更新?
跟這篇提到的時間相比真的是有很大的想像空間