討論區主頁 » Four Thirds System and Olympus SLR » E-330、DMC-L1 的750萬畫素4/3型Live MOS感光元件 | 無發表權 |
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發表者 | 討論內容 |
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timon | 發表時間: 2006-01-31 18:47 |
Just can't stay away 註冊日: 2006-01-21 來自: 發表數: 173
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[8578]
Re: E-330的 750萬畫素4/3型Live MOS感光元件 引文:
collective 斑竹的ID 是斑竹們公用的? 哈哈,斑竹明知故問,戲弄調侃 祝新春快樂 注:相對於過去構造的CMOS的感光面,這種結構的感光器件部分是位於芯片的“背面”,並非指實際感光中背向光源。 據稱其開口率(即感光器件部分於象素面積的比率)高達象素面積的90% 以上,接近100%。果真如此的話,那麽2007年將可能出現2千萬象素(或更高)的135全幅CMOS。不過這種結構將使製造工藝上至少多一個處理面,如果單面有2道處理工序,那麽它可能至少要4道處理工序,可能導致成本少許不利。 |
collective | 發表時間: 2006-01-31 19:34 |
版主 註冊日: 2004-10-18 來自: 柏格方塊 發表數: 13133
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[8579]
Re: E-330的 750萬畫素4/3型Live MOS感光元件 timo兄,
不是啦,是網站算是傳播媒體,什麼事都應該問清楚弄明白,把它變成普羅大眾都很容易就懂的文字,才不會被"斷章取義""以訛傳訛". 造成兄台的困擾還請海涵 |
rear | 發表時間: 2006-02-01 09:00 |
Home away from home 註冊日: 2006-01-31 來自: 發表數: 359
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[8582]
Re: E-330的 750萬畫素4/3型Live MOS感光元件 關於E330的LiveMOS,日經BP社的最新報道如下:
“圖像記錄用的攝影元件爲MOS型産品。奧林巴斯尚未公佈生産廠家,不過預計是松下電器産業生産的。MOS型攝影元件不同於CMOS感測器,由於不使用pMOS,因此能夠簡化工序。不過,其結構和特點與CMOS感測器類似。 圖像記錄用的攝影元件,其光學尺寸爲4/3英寸。總圖元數爲794萬。根據光學尺寸和總圖元數,可算出圖元間隔約爲5.3μm。耗電量相當於奧林巴斯過去採用的、由美國柯達生産的幀傳輸方式CCD的一半。MOS感測器採用可在+5V下工作的專用工藝技術生産。” http://china.nikkeibp.co.jp/china/news/news/digi200601310116.html |
rear | 發表時間: 2006-02-01 09:25 |
Home away from home 註冊日: 2006-01-31 來自: 發表數: 359
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[8584]
Re: E-330的 750萬畫素4/3型Live MOS感光元件 日經BP的文章中指出“象素間隔在5.3μm”,MOS型sensor對比CMOS型sensor,優勢在工藝更簡單,成本相對更低一些。
從松下提供的資料看,以往35萬象素1/4寸CMOS sensor的象素間隔在5.6μm,松下在2005年2月的時候已經實現了象素間隔在2.0μm的MOS型sensor試製品,在2004年12月發售的手機用MOS型sensor的νMAICOVICON也達到了2.25μm(1/4寸νMAICOVICON有200萬象素)。我覺得從這個來判斷,這次推出的LiveMOS型sensor的象素間隔還很寬裕,還有很大的提升空間,要在4/3型尺寸下實現νMAICOVICON的象素密集度也不是不可能的。大概唯一的限制就是良品率了。 希望4/3系統快點壯大起來! |
jerloong | 發表時間: 2006-02-02 07:33 |
版主 註冊日: 2004-10-18 來自: 發表數: 2768
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[8631]
Re: E-330的 750萬畫素4/3型Live MOS感光元件 了解一下 松下公司半導體據點
http://panasonic.co.jp/semicon/guide/e-company4.html |
Alsene845 | 發表時間: 2006-02-02 08:30 |
Home away from home 註冊日: 2005-02-16 來自: 台灣唯一的隕石湖 發表數: 518
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[8633]
Re: E-330的 750萬畫素4/3型Live MOS感光元件 像素密度除了影響良率之外,在使用面上,最大的問題就是小光圈的可用性。E300在F16以下就已經可以很明顯地看到光線繞射的影響。不過5.3um的像素間隔不是跟E1差不多嗎?E330的畫素可是多了E1一半呢!
引文:
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rear | 發表時間: 2006-02-26 22:38 |
Home away from home 註冊日: 2006-01-31 來自: 發表數: 359
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[9801]
Re: E-330的 750萬畫素4/3型Live MOS感光元件 松下電器在 PMA 2006 宣佈了以 4/3 系統為基礎的旗下第一款 DLSR: DMC-L1 及 Leica D Vario-Elmarit 14-50mm/F2.8-3.5 鏡頭,DMC-L1 搭載松下電器研發的750萬像素的MOS影像感測器,可以達到高畫質、低雜訊、低耗電的要求。並且內建Venus Engine III影像引擎,以提昇整體的效能。
引用DCVIEW的新闻稿(http://www.dcview.com/article/newreadarticle.asp?id=4412),已经确信无疑,那个750Mp的MOS sensor是Panasnic出品的了。 |
ITO | 發表時間: 2006-03-06 14:53 |
網站管理員 註冊日: 2004-09-15 來自: 日本 發表數: 30762
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[10284]
Re: E-330、DMC-L1 的 750萬畫素4/3型Live MOS感光元件 dcviews.com
The new Olympus / Panasonic Live MOS Sensor http://www.dcviews.com/press/Olympus-Panasonic-MOS.htm |
rear | 發表時間: 2006-03-10 01:30 |
Home away from home 註冊日: 2006-01-31 來自: 發表數: 359
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[10377]
Re: E-330、DMC-L1 的 750萬畫素4/3型Live MOS感光元件 色影无忌里有中文的翻译,地址在:
http://article.xitek.com/showarticle.php?id=3648 作者:老西翻译 ----------------------------------------------------- 特点: Live MOS感光器件在画面素质可以媲美全祯(FFT) CCD,低功耗上则可媲美CMOS。 简化的电路使得光电二极管到微透镜的距离缩短,从而保证了优秀的敏感性和大入射角的画面质量。 1、分辨率:7.5MP,具有优秀的低照度性能特性; 2、增益:采用了低躁声技术,降低颗粒性; 3、影调范围:简化了寄存器和其他电路,使得FFT-CCD感光二极管的感光面积更大,提高了灵敏度和提高响应速度; 4、低功耗:其功耗大约是FFT-CCD的一半; 5、高速:简单的电路结构提高了整体的处理速度。 重新设计的感光器件具有更大的感光表面 感光区域大约是感光元件表面的30% (与CCDs相比)。Live MOS感光器件的优点是:简单电路要求和更薄的NMOS结构层,从而提供了更大的感光区域。而且,电路技术的改进提高了感光效率和改进了图象素质。 新型的光电二极管读出传输机理,将电路通道的数量减少到两条(同CCD感光器件),从而使得不参与感光的区域变小。通过有效地扩大感光区域,使得捕捉光线的能力加强,在保证了高灵敏度的同时也保证了画面素质。同时,已经研制了新的低躁声光电信号放大电路,将用于以后的灵敏度改进。 低躁声技术大幅度地改进了低照度下的影象素质 在5V(设计电压:2.9V)低压系统中,采用的专用处理技术,大大地降低了躁声。考虑了工作信号躁声,感光光电二极管深嵌入硅片中,与芯片表面上产生噪声的元件相隔离。使得图象更为清晰,抑制了在低照度下拍摄经常出现得颗粒性和写噪声。这项技术整体改善了低照度下的性能,在低照度下拍摄的画面更为清晰。 ----------------------------------------------------- 基本上就是以2004年低松下半导体社发布的新型MOS型sensor为蓝本开发出来的。 |
ITO | 發表時間: 2006-04-05 10:44 |
網站管理員 註冊日: 2004-09-15 來自: 日本 發表數: 30762
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[11433]
Re: E-330、DMC-L1 的 750萬畫素4/3型Live MOS感光元件 今天收到日本Olympus的訂正通知,
關於Live MOS的受光面積, 以前1月26日發的E-330發表新聞稿中提到過: Live MOS的受光面積是CMOS的約3倍,為錯誤 正確為 Live MOS的受光面積是CMOS的約1.4倍 ------------------------------------------------------- <訂正内容> 発表日:1月26日 製品名:デジタル一眼レフカメラ「E-330」 【訂正個所】■主な特長について 4ページ目 「3.新開発 高画質750万画素4/3型 Live MOS センサー搭載」の項 【訂正内容】誤:従来のCMOSセンサーの約3倍の受光部 面積を持ち、 ↓ 正:従来のCMOSセンサーの約1.4倍(当社 調べ)の受光部面積を持ち、 |
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